氮化镓成主流 德州仪器加速向8英寸过渡

德州仪器正在将GaN（氮化镓）生产工艺从6英寸向8英寸过渡，以提高产能、获得成本优势。

德州仪器韩国总监Ju-Yong Shin表示，公司传统上采用6英寸工艺生产氮化镓半导体，达拉斯工厂有望在2025年之前过渡到8英寸工艺，日本会津工厂则正在将现有的硅基8英寸产线转换为GaN半导体产线。

目前GaN 应用主要以外延为主，硅基衬底成本低，GaN-on-Si生长速度较快，较容易扩展到8英寸晶圆。随着尺寸增大，单位GaN半导体器件的成为将随之降低，因而国内、外厂商均在积极推进建设8英寸GaN晶圆项目。

相比第二代半导体化合物，GaN拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率和电子饱和速率及更优的抗辐照能力，可用于高功率、高速的光电元件中，是生产微电子器件、光电子器件的新型材料。

不仅如此，其是能同时实现高频、高效、大功率代表性材料，广泛应用在 5G 基站、特高压、新能源充电桩、城际高铁等主要领域。

以新能源汽车领域为例，GaN功率半导体主要应用于动力总成系统，包括车载充电器OBC、DC-DC/DC-AC及BMS电池管理系统。引入GaN D类放大器的音频系统能在不需要牺牲声音质量的前提下，以更小更轻的设计提供更多的功率和更多的通道，满足消费者市场对出色音质的追求。

使用GaN晶体管还可实现更小、更高效和更低成本的电源系统。 对汽车行业而言，应用GaN意味着可以使用更小、更轻的电池，拥有更优的充电性能以及更久的车辆续航时间。 此外，GaN也提高了车辆自主和无线电源应用的能力。